HBM4巨型回忆将加速混合粘合技术的引入，并且该

5月8日，韩国媒体“韩国Ilbo”在当地时代的报告中指出，三星电子和SK Hynix的两个主要的韩国DRAM记忆制造商正在考虑引入与下一个HBM -HBM -HBM4内存产生结合的混合技术。资源表明，预计三星电子将在明年年初在HBM4内存中使用混合键合，而SK Hynix可以进口HBM4E。 Micron和其他人计划考虑以颠簸导入迭代版本：与起义无关。与现有HBM存储器使用的键键合相比，自由混合键合有助于降低HBM存储器堆栈层的高度，并支持更多的堆叠层。它还具有电性能优势，NA可以实现更好的交付率。 Home指出，半导体设备BESI在今年4月发布的年度报告文件中说，即使HBM使用混合键合的记忆将比预期的一年，但它还是会l仍在2026年以16hi HBM4（e）发行。 【来源：这在家】