必须阅读才能选择！四个不完美MOSFET参数的详细

在解释MOSFET时，几乎所有的书籍和材料都希望基于微观结构的半导体特性研究MOSFET的各种结构，然后解释这些导致其参数的这些结构的原因。但是，这种方法对身体基础较弱的硬件工程师非常友好，导致不了解很多表情并且不吸收营养的人。各种三维图形和二维图形都是类型，而不是统一的。在本章中，我们查看了设备从应用程序见解中选择开关。当选择MOSFET时，它不是一个完美的传输设备。通过他们的不愉快区域了解他的一些基本参数。对于后续内容，我们将通过微结构理解这些参数的原因。首先知道它是什么，然后了解为什么会导致它，这对每个人都更容易理解。如前所述，我们想NED认为我们选择了增强的N-MOSFET在传输电源时，我们希望这是一个很好的开关。要么完全打开（打开时，电阻值为∞），要么完全关闭（关闭时，电阻值为0），并且开放和关闭过程立即完成，而没有传输过程的时间。首先，在整个“ ON”和整个“ OFF”状态下，MOSFET并不完美，其两个参数涉及。 1。IDSS：零门电压排放电流IDSS是指当ANG栅极和源电压为零时，在某个运河和资源电压下，运河和资源之间的泄漏电流。也就是说，当MOSFET完全处于“”状态时，并且门（G-Post）和源之间的压力差为0，当前通过MOSFET的泄漏。换句话说，当MOSFET被切断时，它并不完美且“电”。由于当前的泄漏随着温度的升高而增加，因此IDSS IS在室温和高温下定义。通过当前泄漏引起的电力消耗可以通过将ID乘以运河和资源之间的电压来计算，而电力消耗的这一部分不忽略。尤其是对于高能电源，总消耗的电力消耗比例很小。 2。RD（ON）：当完全打开MOSFET时，抗性RDS（ON）（ON）（staticdrain to-sourceon抗性）是对运河和资源的相应反对。也就是说，当开关完全关闭时，电阻不是0，并且对RDS的电阻很小（ON）。当栅极偏置VG的电压随着偏置电压VG的增加而降低时，不饱和状态之间的电压为最小量。在该状态饱和的情况下，如果忽略了温度变化，则RDS（ON）几乎不受电流管的影响。换句话说，在一定温度下饱和MOSFET的RDS（ON）几乎是一个恒定值。根据欧姆法律，不难理解RDS（ON）是MOSFET的实力消耗的决定性因素。低压规范MOSFET的RDS（ON）非常低，这意味着在转移状态。低压测定MOSFET的功率消耗非常低，这是近年来MOSFET快速发展的主要迹象之一。这是一个非常重要的参数，可以决定MOSFET的电力消耗。该参数通常随着连接温度的升高而增加。因此，在高工作连接温度条件下（在最坏的条件下），该参数的值应用作损失和压力崩溃的计算。在制造MOSFET的过程中，为了获得较低的RD（ON），牺牲了其他演示文稿，例如DSS之间的VDD故障电压。 RD越小S（ON），产生的电源传输效率越高。但是，具有电压电压的高压MOSFET也很大，因此它们将低RDS（ON）的MOSFET限制在高压移动咖喱供应中。另外，如果当前ID增加，RDS（ON）也会略有增加。如果门VG的电压增加，则RDS（ON）降低。通常，所有MOSFET模型在指令中的重要位置提供的RP（ON）值确定了特定测试条件下的值。在设备数据中培养的RD（ON）是在特定条件下的测试结果。通常，在VGS条件下（通常为10V），连接温度和电流漏极，在向上MOSFET升高时，运河和资源之间的最大阻抗。 3。VGS（TH）或VGS（OFF）：阈值电压如果我们将MOSFET视为开关，则还需要某些条件来控制此开关的打开或闭合。这不是可能的e控制MOSFET无需所需的能量。该控制的Ang Kondecis是VGS（TH）或VGS（OFF）：阈值电压。 VGS（Th）是指添加门源电压以引起运河的电流启动时的电压，或者当MOSFET关闭时丢失电流时。当所施加的控制栅极电极之间的VG电压变化超过一定量的电压（例如开关将开始打开）时，该值表示为VGS（Th）。当设备制造商提供此参数时，当运河中的短路下的电流ID等于1mA时，门电压通常定义为阈值电压。通常，运河电荷的区域和短通道MOSFET的资源对阈值电压产生更大的影响，即，随着电压的增加，空间电荷的区域的范围扩大，有效的渠道长度是短期的，阈值电压会降低。因为该过程可以影响VGS（Th），可以通过更改过程来修复VGS（Th）。当噪声低时，可以选择具有较低阈值电压的管道以降低所需的输入驱动信号电压。当环境噪声较高时，可以选择具有较高阈值电压的开关管以提高抗干扰能力。阈值电压通常为1.5〜5V。连接温度对阈值电压有影响。对于每个连接温度的升高45°C，阈值电压下降10％。在正常条件下，所有MOS栅极设备的阈值电压都会有所不同。因此，定义了差异-VGS（Th）的范围。当TE增加时，VGS（Th）是负温度，MOSFET将打开相对较低的电压门源。几乎没有早期的低VGS（TH）MOSFET，因此通常，我们需要使用微控制器来控制电路和关闭电路的电源，该电源必须首先将晶体管转换为高压控制签名。l，然后控制MOSFET。但是，随着低VG（Th）的流行，可以直接控制MOSFET。 4。由于连接电容器是半导体，因此有PN连接器，如果有PN连接，则有连接电容器。当然，根据我们刚刚这样做的程序，不记得微型模型。首先，让我们从宏观的角度看一下连接的相应电容器，直达三个MOSFET电极之间的等效能力。尽管电容器的电容器容量很小，但它的影响在电路的稳定性不可忽视。处理不当通常会导致高频自我的振荡。更有害的是，驾驶栅极控制装置只需要一个控制电压而不需要电源控制。但是，当工作频率相对较高时，连接电容器的存在会消耗出强大的驾驶强度。频率越高，动力消耗越大。这就是我们通常的认为MOSFET的GS极线之间具有很高的电阻，但是在设计电源的传输时，我们通常需要保持PCB的PCB PCB轨迹。这样可以确保在转移过程中，MOSFET的立即驾驶相对较大，并且具有足够的电流吞吐量。这正是由于存在等于插座的电容器的存在。当然，此过程不仅会为电容器收取，而且会使用更复杂的过程。我们将解释以下内容。敬请关注。